一、MOS管米勒平台形成根源
MOS管的三个极之间天然存在寄生电容，具体包括：栅极与源极之间的寄生电容Cgs，漏极与源极之间的寄生电容Cds，以及栅极与漏极之间的寄生电容Cgd。这些寄生电容在电路运行中扮演着关键角色。其中，Cgd寄生电容是引发米勒平台现象的核心因素，也被称作米勒电容。
在交流信号测量环境下，当漏源短接时，测得的GS电容即为输入电容Ciss=Cgs+Cgd。输入电容充电至阈值电压时，MOSFET得以开启。而输出电容Coss=Cds+Cgd，在其充放电过程中会产生COSS损耗。
当MOSFET经历从截止区到放大区，再进入可变电阻区的开通过程时（关断过程则相反），特别是在放大区阶段，米勒效应使得随着Vds的下降，Cgd电容显著增大。此时，给Cgd电容充电的过程直接导致了米勒平台的出现。
从理想放大器角度来看，米勒效应可解释为电抗变换致使电流增大，等效为电抗变小，输入电抗变小对应电容增大（Z=1/jωC）。
二、米勒平台的负面影响
米勒平台会使MOS管在开启时上升沿时间延长，导致MOS管发热加剧、损耗增加，主要表现为开关损耗的上升。
三、改善米勒平台的有效策略
提升驱动功率：采用MOS管专用驱动芯片或图腾柱电路，增强驱动能力，加速电容充放电过程，从而在一定程度上缩短米勒平台持续时间。
增加Cgs：在栅源极之间并联电容，增大Cgs，使MOS管更易完全导通，进而减少米勒平台的影响。但需注意，此方法虽能抑制寄生电压防止米勒平台震荡，却会增加驱动损耗，需根据实际电路要求权衡使用。
优选MOS管：在电路设计初期，尽量选择Cgd较小的MOS管，从源头上削弱米勒平台效应。
优化电路布局：缩短驱动信号布线长度，降低寄生电感，进而减少米勒平台震荡电压过冲。同时，合理选择合适的栅极驱动电阻，协同调控米勒效应的影响，提升电路整体性能和稳定性。
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