一、击穿类型
（一）齐纳击穿
当PN结处于反向偏置状态时，电场作用促使耗尽层内的电子从价带隧穿至导带，致使反向电流急剧上升。这种现象通常出现在掺杂浓度较高的二极管中，击穿电压一般低于6V。
（二）雪崩击穿
若反向电压过高，电子在耗尽层中会因电场加速，与晶格原子碰撞后产生大量新的电子-空穴对，从而引发电流的急剧增加。此现象多见于掺杂浓度较低的二极管，击穿电压通常高于6V。
二、影响MOS管反向击穿电压的因素
MOS管反向击穿电压受多种因素的影响，主要包括材料特性、结构设计和温度等。材料的掺杂浓度与禁带宽度对击穿电压有显著影响，其中掺杂浓度越高，击穿电压越低；而温度升高会导致禁带宽度减小，进而增加齐纳击穿的可能性。
三、二极管反向电压抑制方法
（一）选择合适的MOS管
在挑选MOS管时，应重点关注其反向漏电流和反向击穿电压参数。反向漏电流越小，反向击穿电压越高，通常意味着二极管反向电压表现更佳。因此，这两个关键参数是选择MOS管时不可忽视的重要指标。
（二）添加反向并联二极管
在MOS管的源极和漏极之间接入一个反向并联二极管，可有效抑制二极管反向电压。当漏极电压呈现负值时，该二极管将导通，从而将漏极电压控制在反向击穿电压以下，为MOS管提供有力的保护，避免其遭受损害。
（三）使用反向并联二极管芯片
为了简化操作流程，众多厂商推出了专门用于抑制MOS管二极管反向电压的芯片。这些芯片内部集成了反向并联二极管，使用时可直接将其连接到MOS管的源极和漏极之间，具有方便快捷的优势，能够有效满足实际应用需求。
（四）利用反向并联二极管模块
除了芯片之外，还有模块化的反向并联二极管可供选择。此类模块内部集成了多个反向并联二极管，能够同时连接多个MOS管，实现对二极管反向电压的有效抑制。它们通常具备较高的反向击穿电压和较低的反向漏电流，是保护MOS管的可靠助手，在实际应用中可以为电路的稳定运行提供有力保障。
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