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  • NMOS低侧电源开关方案,结构简单实用
    • 发布时间:2026-10-21 21:42:47
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    NMOS低侧电源开关方案,结构简单实用
    推荐一个简单实用的电源开关电路 ——NMOS低侧电源开关。
    它不仅结构简单、用起来方便,还因同价位 NMOS 的性能(开通速度、额定电流、导通内阻)比 PMOS 更优,但并非适用于所有电路,可能对部分电路工作产生影响。
    电路中,CONTROL为控制信号,电平一般为3~12V。负载一端接电源正极,另一端接NMOS的D(漏极)。
    当CONTROL电平为高时,Vgs 大于导通阈值,mos管导通,负载开始工作。
    当CONTROL电平为低时,Vgs=0,MOS管关断,负载停机。
    NMOS低侧电源开关方案
    设计时需注意,通常要在 NMOS 的栅极与源极间并联一个 10K 左右的泄放电阻 R1。因为 NMOS 的 GS 极间阻值极高(达 M 欧以上)且存在结电容,若没有此电阻,GS 极间电荷难以释放,控制信号移除后 NMOS 可能仍维持导通,导致负载无法及时停机。并联泄放电阻后,结电容可通过电阻快速放电,使 Vgs 在控制信号移除后迅速降至 0,确保 NMOS 及时截止。
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