典型的反激式开关电源
一、电路组成与作用
RCD尖峰吸收电路由电阻（R）、电容（C）和二极管（D）组成。
MOS管的耐压值有限，若不对尖峰电压加以限制，极易导致MOS管击穿损坏。RCD电路的核心作用主要有以下三点：
MOS管的耐压值有限，若不对尖峰电压加以限制，极易导致MOS管击穿损坏。RCD电路的核心作用主要有以下三点：
将尖峰电压严格控制在MOS管的击穿电压以内，防止其因过压而损坏。
在抑制尖峰电压的同时，不能过度损耗方向感应电动势的能量，因为该电动势在电路中仍需正常做功以维持电路运行。
根据电路实际需求选取合适的RC值，以确保既能有效吸收尖峰电压，又不影响电路的正常能量传递与转换。
二、电路工作原理
当MOS管导通时，变压器处于正激状态，此时RCD电路中的二极管D反向截止，不影响电路的正常能量传输路径。
当MOS管截止时，变压器产生反向感应电压，此时二极管D导通，尖峰电压为电容C充电。这一充电过程能够有效拉低尖峰电压的峰值，降低对MOS管的电压冲击风险。
待尖峰电压过去后，电容C通过电阻R放电，使电容恢复初始状态，为下一次尖峰电压的到来做好准备，实现循环吸收尖峰电压的功能。
三、电路实验验证及效果对比
以一个具体电路为例：使用12V直流电为变压器初级绕组供电，由MOS管Q1控制初级绕组的通断。稳压管D3和R3用于保护MOS管，当出入端出现大电压时，稳压管发生齐纳击穿，迅速将能量传递到GND，从而避免MOS管被击穿。变压器次级绕组通过D2进行半波整流后，再经C2滤波，R2和LED作为输出负载，用于指示工作状态。
在未接入RCD尖峰吸收电路时，MOS管截止瞬间，变压器产生的反向电动势可使反向电压达到-100.6V，远超MOS管的安全耐压范围，存在极大损坏风险。而接入RCD尖峰吸收电路后，反向电动势的峰值被有效抑制，仅降至-76V左右，大幅降低了MOS管的电压应力，保障其稳定可靠运行。
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