直流电子负载原理与应用解析
一、电源与负载的基础认知
电源,涵盖 AC/DC 电源及电池,其核心要义在于为用电装置供应电能。与之相连并接纳电能的组件,统称为负载。直流电子负载,作为一类关键的测试设备,在直流电源的调试检测中扮演着举足轻重的角色。
二、直流电子负载的构成与功能
直流电子负载运作时,靠调控内部功率 MOSFET 或晶体管的导通量,依循功率管的耗散功率来消纳电能。其卓越之处在于,能精准检测电源电压、细致调节负载电流,且具备模拟负载短路、高速动态拉载等功能,这些特性使其成为直流电源测试环节中不可或缺的利器,广泛适用于电池、太阳能电池板、LED 驱动器、DC-DC 转换器以及燃料电池等众多直流电源的测试场景。
三、直流电子负载的工作模式详解
(一)恒流(CC)模式
将电子负载设定于恒流模式,核心表现为无论电压如何波动,电流值始终保持恒定。需着重注意,此模式下电压不可进行编程设定。一旦 DUT 施加的电压超出规定电流范围所容许的电压值,电子负载的过压保护机制即刻启动,致使跳闸并切断输入。
在电流值设定方面,可在高量程与低量程的范围内予以编程。若所设量程值处于量程重叠区间,负载将默认选取低量程。倘若电流配置逾越低量程范畴,负载则自动校准输入至低量程内的峰值。常见的恒流电路如图所示,

凭借该电路可便捷获取高精准度的电流值。其中,R3 承担取样电阻的角色,VREF 为给定信号源。当赋予 VREF 信号时,若 R3 上的电压低于 VREF,即 VOP07 的 - IN 小于 + IN,OP07 增大输出功率,提升 MOS 导通程度,相应地,流经 R3 的电流也随之增大。反之,若 R3 上的电压高于 VREF,即 - IN 超过 + IN,OP07 减少输出,MOS 导通程度降低,流经 R3 的电流亦相应减小。借此,电路得以始终保持恒定的电流供应,达成恒流工作的目标。

凭借该电路可便捷获取高精准度的电流值。其中,R3 承担取样电阻的角色,VREF 为给定信号源。当赋予 VREF 信号时,若 R3 上的电压低于 VREF,即 VOP07 的 - IN 小于 + IN,OP07 增大输出功率,提升 MOS 导通程度,相应地,流经 R3 的电流也随之增大。反之,若 R3 上的电压高于 VREF,即 - IN 超过 + IN,OP07 减少输出,MOS 导通程度降低,流经 R3 的电流亦相应减小。借此,电路得以始终保持恒定的电流供应,达成恒流工作的目标。
(二)恒压(CV)模式
电子负载处于恒压模式时,负载模块旨在消耗足额电流,以掌控电源电压,使其契合程序预设的数值。CV(恒压)操作设立了电流限制。当负载电流处于电流限制所框定的区间内,输出电压方能维系程序所设定的状态。
然而,当输出电流触及电流极限时,设备将不再延续恒压模式,输出电压亦不再恒定。此时,电子负载转而调节输出电流,使其契合电流限制设定。若电压持续攀升,直至逾越规定电流范围所允许可电压或最大功率阈值,过压保护机制将激活,触发跳闸并关停输入。恒压电子负载电路图如图所示。MOS 管上的电压经 R2 和 R3 分压处理后输入运放 + IN,与给定值展开对比。A 点电压的波动会引发 R2 上的电压变动,经 LM358 运放作用后,影响 Q1 的导通程度,进而约束 A 点电压波动,确保 A 点恒压状态。


(三)恒阻(CR)模式
电子负载处于恒阻模式时,模块所消耗电流与电压呈正比关系。电阻可在三个重叠电阻范围(高、中、低)内予以编程设定。负载将择取与编程电阻值相匹配的范围。若电阻值落入范围重叠区间,负载将优先选取分辨率最优的范围。一旦当前输入设定超越所选量程,负载将自动校准输入设置,调整至新选量程内最切近的可用值。电路中,A 和 B 两点的电压经 R4 施加于 LM358 的 + IN 脚,从而掌控 R1 上的电压,进而在 R1 中形成对应电流。AB 两点电压与电路中电流的比值,即构成 AB 两点的等效电阻。当 AB 两点电压发生变动时,R1 上的电压随之调整,流经 R1 的电流亦相应改变,借此保障电路的恒阻属性。


(四)恒功率(CP)模式
电子负载处于恒功率模式时,负载模块依据程序预设的恒功率数值,动态调整被测设备的功耗。借助测量输入电压与电流,进而调控输入功率,并依据 AD 转换器的测试数据流实时校准输入功率。当下,多数电子负载采用恒流电路来兑现恒功率功能。其原理是 MCU 采样输入电压后,依循设定功率值核算输出电流。当然,亦可借助硬件手段达成,图示为经硬件实现恒功率的方块图。

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