在H桥的自举电路中（以 U9、U10 两个 NMOS 管为例），NET4 连接负载，NET3 与 NET5 为单片机控制引脚，VCC 为负载驱动电压。
NMOS 管的导通条件是 VGS > 导通电压 V1，即栅极电压需高于源极电压。但当 U9 导通后，NET4（源极）电压会升至 VCC，若 VCC 为高电压，栅极电压可能无法继续高于源极，导致管子截止。
那怎么解决这个问题呢？
针对这一问题，我们可以在 MOS 管 GS 两端并联自举电容 C32，同时在控制引脚与电容间串联二极管。
其工作过程如下：导通前，NET5（控制引脚）输出 3.3V 为 C32 充电，使电容两端电压保持 3.3V；导通时，U9 导通后，NET4（源极）电压升至 VCC，由于电容电压差不变（仍为 3.3V），电容靠近栅极一端的电压被抬升至 VCC+3.3V，此时 VGS = (VCC+3.3V) - VCC = 3.3V，满足导通条件。电路中串联的二极管则起到保护作用，防止电容高压（VCC+3.3V）反向击穿单片机 —— 导通时电容上端电压高于控制端，二极管反向截止，实现隔离。实际应用中，还需通过控制信号让电容不断充放电，维持 GS 间的电压差，确保管子稳定导通。
原电路中自举电容的充电设计不合理，修改后如下，采用独立电源为自举电容充电，避免控制信号电压限制。
简言之，自举电路通过电容 "电压差不变" 的特性，在高端 MOS 管源极电压升高时，同步抬高栅极电压，确保 VGS 始终满足导通条件。
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