很多人选MOS的时候，
看到参数表写着：
VGS(th)=2V。
于是心想：
“我用3.3V驱动，肯定够了吧？”
结果MOS是导通了，
但一带大电流，
烫得离谱。
问题就出在一个误区：
超过VTH，只代表MOS开始导通。
不代表它已经：完全导通！
VTH是什么？
你可以把它理解成：
MOS刚刚把门推开一条缝的电压。
这时候虽然已经有电流，
但D、S之间的导通电阻，
也就是 RDS(on)，
可能还很大。
而MOS的导通损耗大约是：
P=I²×RDS(on)
注意这个平方。
电流一大，
RDS(on)哪怕只高一点，
发热都会明显增加。
所以看MOS数据手册，
千万别只盯着：
VGS(th)。
更重要的是看：
RDS(on)是在多大的VGS下标定的。
比如一颗MOS，
VTH只有2V，
但最低RDS(on)是在：
VGS=10V
条件下给出的。
那你用3.3V去驱动，
它可能确实“开了”，
但根本没开透。
所以记住一句话：
VTH决定“开没开”，RDS(on)决定“开得好不好”。
MOS发热，
很多时候不是它耐不住电流，
而是你的Gate，
根本没把它真正推开。
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